영국 글래스고대학과 스페인 로비라비르힐리대학 연구팀이 트랜지스터와 같은 역할을 하는 새로운 분자 설계와 합성에 성공했다. 이번 성공은 집적 회로당 트랜지스터 수가 2년마다 2배가 된다는 무어의 법칙을 깰 가능성을 열어준 것이다.

현재 플래시메모리는 데이터 셀이라는 물리적 한계에 속박되어 있다. 데이터 셀은 금속산화물 반도체(Metal Oxide Semiconductor. MOS)를 이용한다. 하지만 MOS의 구성 요소는 10nm 이하로는 제조가 거의 불가능하다. 따라서 기록량에도 상한선이 정해져 있다.

하지만 이번에 기존 데이터 저장 요소 대신 단일 분자를 이용하는 혁신적인 기술 개발에 성공한 것이다. 분자 하나에 멀티비트 데이터를 기억시킬 수 있게 된다면 무어의 법칙이 깨질 수 있기 때문.

POM(polyoxometalates. 폴리옥소메탈레이트)이라는 불리는 이 새로운 금속산화물 클러스터에 관한 논문은 과학전문지 네이처에 게재됐다. 플래시 메모리는 트랜지스터 상태를 0과 1로 하는 것으로 데이터를 저장한다. 연구팀은 이번에 플래시메모리처럼 전하를 파악하고 행동할 수 있는 POM 분자를 설계, 합성한 뒤 제어할 수 있었다고 한다.

이번에 개발한 POM의 가장 큰 장점은 이미 업계에서 널리 쓰이고 있는 생산라인을 그대로 쓸 수 있다는 것이다. 또 이번에 새로 개발한 기술이 비밀 정보를 안전하게 보관하는 데 일조할 수 있다고 한다. 한 번 삭제한 기밀 데이터는 복원할 수 없는 방식(write-once-erase)이 가능할 것이라는 설명 때문이다.

전자신문인터넷 테크홀릭팀

이상우기자 techholic@etnews.com

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